Категория разработок
Электроника
Машиностроение
Суть разработки. Назначение и область применения
Низькотемпературний магнітний фазовий перехід першого роду, що відбувається при досягненні магнітним полем деякого критичного значення.Розробка призначена для ефективного реагування на підвищення магнітного поля в умовах наднизьких температур.
Основные преимущества
Датчики магнітного поля, робота яких ґрунтується на використанні магнітного фазового переходу першого роду, можуть функціонувати при як завгодно низьких температурах. При цьому вони є практично безінерційними.
Степень готовности. Защита интеллектуальной собственности
Готова теоретична частина роботи. Публікація в науковому журналі «Сенсорна електроніка та мікросистемні технології».