Свірідова Ольга Валентинівна

Кандидат фіз.-мат. наук, доцент.

sviridova@op.edu.ua

Посада та місце роботи

Вища освіта

Кандидат наук - 01.04.10 Фізика напівпровідників і діелектриків.

Магістр.

Бакалавр - 01.04.00 Фізика.

Вчений ступінь

Кандидат фізико-математичних наук.

Вчене звання

Доцент.

Основні наукові публікації

Статті

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing / V.A. Smyntyna, O.V. Sviridova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2010. – Vol. 13, № 1. – P. 74–78.

Повышение точности и срока эксплуатации зондов для атомно-силовой микроскопии / С.А. Билоконь, И.А. Рева, О.В. Свиридова // Наноинженерия. – 2013. – Т. 19, № 1. С. 10 – 13.

Влияние дефектов на распределение концентрации легирующей примеси по пластине монокристаллического кремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Э.Т. Роговская, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // Сенсор. – 2006. – Т. 21, № 3. – С. 19–23.

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах металл – кремний / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. – № 5. С. 39 – 41.

Influence of impurities and dislocations on the value of threshold stresses and plastic deformations in silicon / V.A. Smyntyna, O.V. Sviridova // Photoelectronics. – 2009. – № 18. – P. 52–56.

Поріг пластичної течії в напівпровідниковому кремнії. Чинники впливу / В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, О.В. Свірідова, М.А. Глауберман // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – Т. 10, № 3. – С. 542–546.

Photoluminescence Properties of Nanostructured Silicon Fabricated by Metal-assisted Chemical Etching / Valentin A. Smyntyna, Igor Iatsunskyi, Olga Sviridova, and Nikolay Pavlenko / Frontiers in Optics 2012. – P. FTu1A.6.

Sviridova, O. Peculiarities of image acquirement and analysis in AFM electrical modes / O. Sviridova ; Institute of computer systems, Department of physic. - Odesa, 2020. - 26 р. - Preprint.

Вплив дефектів на розподіл концентрації легуючої домішки та дефекто-утворення при легуванні кремнію / В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А Глауберман, Е.Т. Роговська, Г.Г. Чемересюк, І.Р. Яцунський, О.В. Свірідова // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – Т. 8, № 4. – С. 694–698.

Optical Reflectance of Nanostructured Silicon Fabricated by Metal-assisted Chemical Etching at Ammonia Adsorption / Iatsunskyi I. R., Smyntyna V. A., Pavlenko N. N., Sviridova O. V., Rimashevskiy O. A. / Frontiers in Optics/ 2013. – P. FTu3A.23.

Роль пластичної деформації у формуванні наноструктурованого кремнію. Фотолюмінісцентні властивості наноструктурованого кремнію / В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, О.В. Свірідова, І.О. Марчук, І.Р. Яцунський // Фізика і хімія твердого тіла. – 2011. – Т. 12, № 1. – С. 101 – 104.

Amorphous nano-structured coatings prepared from CVD-composites / V. F. Zinchenko, I. R. Magunov, O. V. Mozkova, O. V. Sviridova, T. Truglas. - Chemistry, Physics and Technology of Surface. 2021. V. 12. N 4. P. 301-305. DOI: https://doi.org/10.15407/hftp12.04.301

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon / V.A. Smyntyna, O.V. Sviridova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2009. – Vol. 12, № 2. – P. 110–115.

Structural and spectral features of Germanium- based interference optics for infrared range of spectrum / V. F. Zinchenko, V. P. Sobol, O. V. Sviridova // Physics and Chemistry of Solid State. – 2012. – Vol. 13, № 1. – P. 197–200.

Анализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборах / О. В. Свиридова // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2012. – Т. 3(9), № 2. – С. 25 – 33.

Igor Iatsunskyi, Valentin Smyntyna, Nykolai Pavlenko, and Olga Sviridova, “Peculiarities of Photoluminescence in Porous Silicon Prepared by Metal-Assisted Chemical Etching”, ISRN Optics. – 2012. – Vol. 2012, Article ID 958412, 6 pages

Topological features of tin dioxide films obtained from the Bis(acetylacetonato)dichlorotin complexes / V.A. Smyntyna, L.M. Filevska, O.V. Sviridova, // Photoelectronics. – 2013. – № 22. – P. 112–116.

Морфологічні особливості нанокремнію, отриманого методом хімічного неелектролітичного травлення / І.Р. Яцунський, В.А. Сминтина, М.М. Павленко, О.В. Свірідова, О.А. Рімашевський // Фізика і хімія твердого тіла. – 2013. – Т. 14, № 4. – С. 794 – 799.

Конференції

Анализ температурной зависимости коэффициента усиления фототока для различных плотностей дислокаций в инфракрасных кремниевых p-i-n-фото-приемниках / О.В. Свиридова, В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский // Конференция молодых ученых по физике полупроводников «Лашкаревские чтения – 2010», 5 – 7 октября 2010 г.: тезисы докл. – К., 2010. – С. 84–86.

Defect formation processes in layered silicon dioxide - silicon and metal- silicon structures / V.A. Smyntyna, O. A. Kulinich, O.V. Sviridova, I.R. Yatsunskiy // 13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, 18 – 23 October 2009: conference paper. – Antalya, 2009. – P. 156.

Перерождение исходных дефектов в процессе создания p-i-n-фотоприемников, обуславливающее S-oбразность их ВАХ / О. В. Свиридова // Научно-техническая конференция «Физика, электроника, электротехника» – ФЭЭ::2012, 16 – 21 апреля 2012 г.: тезисы докл. – Сумы, 2012. – С. 135.

Olga Sviridova, Olena Sviridova. The investigation of hot spots in schottky contacts by current atomic force microscopy mode: International Conference of Students and Young Researchers in Theoretical and Experimental Physics “HEUREKA-2022”. - P. С21. https://physics.lnu.edu.ua/conferences/heureka2022/

Анализ критических плотностей структурных дефектов, влияющих на фотоэлектрические параметры кремниевых p-i-n-фотоприемников / О. Свиридова // Международная конференция студентов и молодых ученых по теоретической и экспериментальной физике ЭВРИКА-2010, 19 – 21 мая 2010 г.: тезисы докл. – Л., 2010. – С. А36.

Причины снижения порога пластичности при скрайби¬ровании окисленных пластин монокристаллического кремния / О.В. Свири¬дова // Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке: 13-й междунар. молодеж. форум, 30 мар. – 1 апр. 2009 г.: тезисы докл. – Х., 2009. – С. 300.

Влияние технологических отклонений на дефектность p-i-n-фотоприемников / О.В. Свиридова, В.А. Смынтына // Современные информационные и электронные технологии: междунар. науч.-практич. конф., 19 – 23 мая 2008 г.: тезисы докл. – Одесса, 2008. – Т. 2, – С. 122.

Modeling of Si nanostructure properties / O. V. Sviridova, O. G. Eremin, I. R. Iatsunskyi, N. N. Pavlenko, V. A. Smyntyna / The international summer school “Nanotechnology: from fundamental research to innovations” and International research and practice conference “Nanotechnology and nanomaterials” (NANO-2013), Aug. 25 – Sept. 1 2013: conference theses. – Bukovel, 2013. P. 59

Зміцнюючий вплив домішки кисню на кристали кремнію / О. Свірідова // Міжнародна конференція студентів і молодих науковців з теоретич¬ної та експериментальної фізики ЕВРИКА-2008, 19 – 21 трав. 2008 р.: тези доп. – Л., 2008. – С. В22.

Метод определения параметров процесса окисления, основанный на изучении картины дефектообразования в кремниевых инверсионных МОП-структурах / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, М.А Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологи: 17-я междунар. крым. конф., 10 – 14 сен. 2007 г.: тезисы докл. – Севастополь, 2007. – С. 556–557.

Влияние дефектов исходного кремния на процессы дефектообразования в диоксидах кремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // СВЧ-техника и телекомму¬никационные технологи: 16-я междунар. крым. конф., 11 – 15 сен. 2006 г.: тезисы докл. – Севастополь, 2006. – С. 608–609.

Исследование структуры рабочей поверхности слаботочных контактов токосъемников гироскопических приборов в процессе их эксплуатации методом атомно-силовой микроскопии / В. С. Антонюк, О. В. Свиридова, М. А. Бондаренко / Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии – 2012: X междунар. конф., 13 – 16 ноября 2012 г.: тезисы докл. – Минск, 2012. С. 86–93.

Изучение влияния дефектов подложки на дефектность слоев кремниевых фотоприемных p-i-n-структур / В.А. Смынтына, О.А. Кули¬нич, О.В. Свиридова // Современные информационные и электронные техно-логии: междунар. науч.-практич. конф., 18 – 22 мая 2009 г.: тезисы докл. – Одесса, 2009. – Т. 2, – С. 116.

Причини появи і зникнення дислокацій і дефектів упаковки, виявлених в окислених пластинах монокристалічного кремнію / О. Свірідова // Міжнародна конференція студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики ЕВРИКА-2009, 20 – 22 трав. 2009 р.: тези доп. – Л., 2009. – С. С38.

Дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній та метал-кремній / О.В. Свірідова, В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А. Глаубер-ман, І.Р. Яцунський // IV Українська наукова конференція з фізики напівпровідників, 15 – 19 вер. 2009 р.: тези доп. – Запоріжжя, 2009. – С. 218.

V. Zinchenko, I. Magunov, O. Mozkova, O. Sviridova, T. Truglas. Nano- structuring in the coatings prepared from CVD-composites: Ukrainian Conference with International Participation "CHEMISTRY, PHYSICS AND TECHNOLOGY OF SURFACE" devoted to the 35th anniversary of the Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine. - P. 222. https://isc.gov.ua/index.php/en/konferentsiji/405-conference-2021-en

Влияние исходных дефектов на процессы дефектообразо¬вания при ионном легировании кремния / О.В. Свиридова // Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций: 5-я междунар. молодеж. науч.-техн. конф., 20 – 25 апр. 2009 г.: тезисы докл. – Севастополь, 2009. – С. 186.

Влияние дефектов на параметры токопереноса в канале полевой кремниевой МОП-структуры / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, М.А Глаубер¬ман, О.В. Свиридова, И.Р. Яцунский [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуника¬ционные технологи: 19-я междунар. крым. конф., 14 – 18 сен. 2009 г.: тезисы докл. – Севастополь, 2009. – С. 548–549.

Учет влияния технологических факторов на дефектность в готовых фотоприемных p-i-n-структурах / О.В. Свиридова // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов – 2008», 24 – 25 апр. 2008 г.: тезисы докл. – Севастополь, 2008. – С. 385–386.

Определение механизмов процессов высокотемпературной диффузии кислорода при ионном легировании кремния / О. В. Свиридова // Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке: 12-й междунар. молодеж. форум, 1 – 3 апр. 2008 г.: тезисы докл. – Х., 2008. – С. 275.

Структурно–полиморфные изменения макродефектов в кремнии при температурном воздействии / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, М.А Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // III Українська наукова конференція з фізики напівпровідників, 17 – 22 чер. 2007 р.: тези доп. – Одеса, 2007. – С. 433.

Структурные преобразования поверхности кремния при легировании и окислении / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, М.А Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // Современные информационные и электрон¬ные технологии: междунар. науч.-практич. конф., 21 – 25 мая 2007 г.: тезисы докл. – Одесса, 2007. – С. 388.

Температурная зависимость подвижности носителей зарядов в канале инверсионных полевых МОП-структур при наличии структурных дефектов / И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций: 3-я междунар. молодеж. науч.-техн. конф., 16 – 21 апр. 2007 г.: тезисы докл. – Севастополь, 2007. – С. 241.

Температурная зависимость параметров кремниевых МОП и p-i-n-фото-приемных структур при наличии структурных дефектов / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, М.А Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский, О.В. Свиридова // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології: 2-а міжнар. наук.-техн. конф. , 26 – 30 чер. 2006 р.: тези доп. – Одеса, 2006. – С. 262.

Фотолюмінісцентні властивості хімічно модифікованої поверхні монокристалічного кремнію / О.А. Кулініч, М.А Глауберман, Г.Г. Чемересюк, І.Р. Яцунський, О.В. Свірідова // Фізика в Україні: всеукраїнський з’їзд, 3 – 6 жов. 2005 р.: тези доп. – Одеса, 2005. – С. 165.

Transformation of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxydation / V.A. Smyntyna, O.V. Sviridova // Advances in Applied Physics & Material Science – APMAS2011, 12 – 15 May 2011: conference paper. – Antalya, 2011. – P. 163.

Повышение точности и срока эксплуатации зондов для атомно-силовой микроскопии / С.А. Билоконь, И.А. Рева, О.В. Свиридова // Современные информационные и электронные технологии: междунар. науч.-практич. конф., 4 – 8 июня 2012 г.: тезисы докл. – Одесса, 2012. – С.112.

Morphological features of nanostructured silicon obtained by metal-assisted chemical etching / N. N. Pavlenko, I. R. Iatsunskyi, V. A. Smyntyna, O. V. Sviridova // Microwave & Telecommunication Technology: 22-nd International Crimean Conference, 10 – 14 Sept. 2012: conference theses. – Sevastopol, 2012. – P. 659–660.