Прилади та пристрої ЕОТ 1

Анотація навчальної дисципліни

Мета дисципліни

забезпечення підготовки, необхідної для експлуатації існуючих і створення нових електронних засобів. Головний об'єкт вивчення дисципліни – внутріш-ній устрій і функціонування напівпровідникових приладів.

Завдання дисципліни

• підготовка студентів до вирішення майбутніх навчальних і виробничих завдань, пов'я-заних з вибором електронних приладів і режимів їх роботи;
• ознайомлення з основними видами напівпровідникових приладів електронних пристро-їв, що забезпечують функціонування комп'ютерної техніки.

Розрахунково-графічна робота (РГР) присвячена прищепленню знань з устрою і розвитку навичок з вибору найкращих напівпровідникових приладів при розробці пристроїв елект-ронних засобів.

Основні результати навчання

• В результаті вивчення дисципліни студент повинен  знати    призначення, області застосування, устрій, параметри, фізичні принципи і режими роботи, схеми включення напівпровідникових приладів; 
• уміти вибирати потрібні активні компоненти для електричних схем; користуватися до-відковою літературою; проводити необхідні розрахунки. 

Форми організації освітнього процесу та види навчальних занять

• Л – лекційні заняття;
• ЛР –лабораторні роботи;
• СРС – самостійна робота здобувача вищої освіти;
• МКР – модульна контрольна робота;
• К – консультації.

Тематика та види навчальних занять

• 1 тиждень
  • Л1. Загальні відомості про напівпровідники. Види провідності в напівпровідниках.
  • ЛР1. Дослідження вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик напівпровідникових діодів.
  • СРС. К.
• 2 тиждень
  • Л2. Струм в напівпровідниках.
  • СРС. К.
• 3 тиждень
  • Л3. Контактні явища. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги.
  • ЛР2. Розрахунок основних параметрів напівпровідникових приладів за статичними хара-ктеристиками.
  • СРС. К.
• 4 тиждень
  • Л4. Пряме і зворотне включення p-n переходу.
  • СРС. К.
• 5 тиждень
  • Л5. Теоретична і реальна V-A характеристики p-n переходу.
  • ЛР3. Вибір напівпровідникових приладів за паспортними даними.
  • СРС. К.
• 6 тиждень
  • Л6. Ємності p-n переходу.
  • СРС. К.
• 7 тиждень
  • Л7. Різновиди електричних контактів і переходів в напівпровідниках.
  • ЛР4. Дослідження вольт-амперних характеристик тиристорів.
  • МКР1.
  • СРС. К.
• 8 тиждень
  • Л8. Класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди, стабілітрони і стабістори, універсальні й імпульсні діоди, варикапи.
  • СРС. К.
• 9 тиждень
  • Л9. Біполярний транзистор. Принцип дії. Режими роботи.
  • ЛР5. Дослідження графіків залежностей параметрів транзисторів від режиму роботи по постійному струму.
  • СРС. К.
• 10 тиждень
  • Л10. Фізичні процеси в бездрейфовому біполярному транзисторі.
  • СРС. К.
• 11 тиждень
  • Л11. Статичні характеристики біполярного транзистора. Вплив температури на статичні характеристики.
  • ЛР6. Розрахунок фізичних параметрів транзистора.
  • СРС. К.
• 12 тиждень
  • Л12. Малосигнальна модель біполярного транзистора і його частотні властивості. Спосо-би поліпшення частотних властивостей.
  • СРС. К.
• 13 тиждень
  • Л13. Робота транзистора в режимі підсилення.
  • ЛР7. Розрахунок частотних параметрів транзистора.
  • СРС. К.
• 14 тиждень
  • Л14. Особливості роботи біполярних транзисторів в імпульсному режимі. Робота в режи-мі посилення імпульсів малої амплітуди. Робота в режимі перемикання.
  • МКР2.
  • СРС. К.
• 15 тиждень
  • Л15. Польові транзистори з p-n переходом і з ізольованим затвором.
  • ЛР8. Розрахунок параметрів транзистора в динамічному режимі.
  • СРС. К.

Індивідуальна робота

Навчальний план передбачає розрахунково-графічну роботу. Тематика завдань на РГР сприяє досягненню наступних цілей: розвитку навичок практичного втілення знань з до-слідження характеристик різновидів напівпровідникових приладів та їх залежності від режиму роботи, розрахунку основніх параметрів в умовах дії дестабілізуючих факторів; прищеплюванню навичок самостійної роботи.   

Самостійна робота

Самостійна робота складає 44 години. Розподіл самостійної роботи за видами навчальних робіт:

• самостійне опрацювання теоретичного матеріалу – 21 година;
• відповіді на контрольні запитання при підготовці до лабораторних занять – 8 годин;
• виконання РГР – 15 годин.

Процедура оцінювання

Система оцінювання рівня навчальних досягнень ґрунтується на принципах ЄКТС та є накопичувальною. Здобувачі протягом семестру готуються до лекційних і лабораторних занять, виконують дві контрольні роботи і РГР.

Контрольні роботи №1 і №2 виконуються в письмовій формі. Вони містять 10 тестових питань, які оцінюються по 3 бала кожен. Максимальна оцінка за бездоганне виконання контрольної роботи складає 30 балів.

Накопичувальна частина складається з балів, отриманих при оцінці поточного контролю знань – 8 балів за семестр і балів за виконання і захист лабораторних робіт – 24 бали за семестр та балів за виконання і захист РГР – 8 балів.

Лабораторні роботи оцінюються в залежності від якості підготовки та впевненості при захисті. Кожна робота оцінюється з 3 балів. За неповні і нечіткі відповіді, при непевному володінні студентом термінологією і знанням предмета оцінка знижується.

Поточний контроль знань здійснюється у формі усних опитувань (6 балів) і оцінки акти-вності студентів на заняттях (2 бали). Кожен студент протягом семестру відповідає на шість питань на лекціях. За правильну відповідь він отримує 1 бал.

Поведінка студента на заняттях вважається активною, якщо він слухає викладача, робить записи, задає питання, не порушує навчальний графік.
Залік з дисципліни накопичувальний. 

Умови допуску до підсумкового контролю

Залік отримують здобувачі вищої освіти, які за підсумками контрольних і лабораторних робіт та поточного опитування набрали не менше 30 балів і захистили розрахунково-графічну роботу.

Перездача заліку організовується за встановленим деканатом розкладом.

Політика освітнього процесу

Здобувач зобов’язаний своєчасно та якісно виконувати всі отримані завдання; за необхід-ністю, з метою з’ясування всіх не зрозумілих під час самостійної та індивідуальної робо-ти питань, відвідувати консультації викладача. Дотримуватись принципів академічної доброчесності. 

Відсутність здобувача на контрольній роботі відповідає оцінці «0».

Під час лекції здійснювати телефонні дзвінки забороняється.