Прилади та пристрої ЕОТ 2

ID: 7728
Навчальна дисципліна професійної підготовки
Edition: 
2017.
Number of ECTS credits: 
3.50.
Contains term paper
Final form of control: 
Exam. Protection of course work.
Teacher: 
Number of classroom classes: 
16 годин лекційних занять, 14 годин лабораторних занять.

Анотація навчальної дисципліни

Мета дисципліни

забезпечення підготовки, необхідної для експлуатації існуючих і створення нових електронних засобів. Головний об'єкт вивчення дисципліни – напівпровідникові прилади в найпростіших електричних схемах.

Завдання дисципліни:
  • підготовка студентів до вирішення майбутніх навчальних і виробничих завдань, пов'я-заних з вибором електронних приладів, режимів їх роботи і схем включення в різних пристроях;
  • ознайомлення з основними видами електронних пристроїв, що забезпечують функціо-нування комп'ютерної техніки.

Тематика курсової роботи охоплює питання вибору параметрів і режимів включення напівпровідникових приладів в електричний ланцюг і розрахунку характеристик простих каскадів генерування і посилення сигналів.

 

Основні результати навчання

  • В результаті вивчення дисципліни студент повинен  знати параметри, режими роботи, схеми включення напівпровідникових приладів і робочі характеристики найпростіших касадів на біполярних і польових транзисторах; 
  • уміти вибирати потрібні активні компоненти для електричних схем, вибирати робочу точ-ку на статичних характеристиках транзисторів, розраховувати параметри і робочі характеристики найпростіших електричних схем на биполярних і польових транзисторах.

 

Форми організації освітнього процесу та види навчальних занять

  • Л – лекційні заняття;
  • ЛР –лабораторні роботи;
  • СРС – самостійна робота здобувача вищої освіти;
  • МКР – модульна контрольна робота;
  • К – консультації.

 

Тематика та види навчальних занять

  • 1 тиждень
    • Л1. Принципи підсилення електричних сигналів. Підсилювальні властивості підсилювача.
    • СРС. К.
  • 2 тиждень
    • ЛР1. Дослідження характеристик напівпровідникового діода.
    • СРС. К.
  • 3 тиждень
    • Л2. Амплітудна характеристика, динамічний діапазон і амплітудно-частотна характеристика підсилювача.
    • СРС. К.
  • 4 тиждень
    • ЛР2. Розрахунок основних параметрів напівпроводникових приладів по статичним характе-ристикам.
    • СРС. К.
  • 5 тиждень
    • Л3. Нелінійні спотворення і тимчасові характеристики підсилювача.
    • СРС. К.
  • 6 тиждень
    • ЛР3. Дослідження роботи біполярних транзисторів в схемі з загальним емітером.
    • СРС. К.
  • 7 тиждень
    • Л4. Основні поняття і види зворотного зв'язку (ЗЗ). Вплив ЗЗ на параметри підсилювача.
    • СРС. К.
  • 8 тиждень
    • ЛР4. Дослідження роботи біполярних транзисторів в схемах з спільною базою та спільним колектором.
    • МКР1.
    • СРС. К.
  • 9 тиждень
    • Л5. Режим роботи біполярного транзистора в схемах із загальним емітером і загальним ко-лектором. Стабілізація робочої точки.
    • СРС. К.
  • 10 тиждень
    • ЛР5. Дослідження роботи польового транзистора в режимі підсилення сигналів.
    • СРС. К.
  • 11 тиждень
    • Л6. Схема резистивного каскаду підсилювача на польовому транзисторі.
    • СРС. К.
  • 12 тиждень
    • ЛР6. Дослідження функціональних властивостей компонентів оптоелектроніки.
    • СРС. К.
  • 13 тиждень
    • Л7. Двухкасадний підсилювач з резистивно-ємнісним зв'язком. Еквівалентна схема підсилювача.
    • СРС. К.
  • 14 тиждень
    • ЛР7. Дослідження функціональних властивостей оптрона.
    • СРС. К.
  • 15 тиждень
    • Л8. RC-генератори електричних коливань низької частоти.
    • МКР2.
    • СРС. К.

 

Індивідуальна робота

Навчальний план передбачає курсову роботу. Тематика завдань на КР включає вибір відповідних транзисторів, розробку їх параметрів і зовнішних еплементів схеми і побудову робочих характеристик.

Тематичний план виконання:

  • отримання завдання і його аналіз – 1-й тиждень;
  • вибір по довіднику транзистора згідно варіанту завдання – 2-й тиждень;
  • розрахунок параметрів транзистора за статичними характеристиками (з довідника) для даної робочої точки і трьох схем включення – із загальним емітером, загальною базою і загальним колектором – 4-й тиждень;
  • розрахунок фізичних параметрів транзистора  – 6-й тиждень;
  • обчислення і побудова графіків залежностей параметрів транзистора від режиму роботи за постійним струмом – 8-й тиждень;
  • розрахунок параметрів транзистора і зовнішних елементів схеми у динамічному режимі – 10-й тиждень;
  • розрахунок частотних параметрів транзистора – 12-й тиждень;
  • оформлення пояснювальної записки – 14-й тиждень.

 

Самостійна робота

Самостійна робота складає 75 годин. Розподіл самостійної роботи за видами навчальних робіт:

  • самостійне опрацювання теоретичного матеріалу – 8 годин;
  • відповіді на контрольні запитання при підготовці до лабораторних занять – 7 годин;
  • виконання КР – 30 годин.
  • підготовка до екзамену – 30 годин.

 

Процедура оцінювання

Система оцінювання рівня навчальних досягнень ґрунтується на принципах ЄКТС та є накопичувальною. Здобувачі протягом семестру готуються до лекційних і лабораторних занять, виконують дві контрольні роботи і КР.

Бездоганне і своєчасне виконання і захист КР оцінюється в 100 балів.

Контрольні роботи №1 і №2 виконуються в письмовій формі. Вони містять 10 тестових питань, які оцінюються по 3 бала кожен. Максимальна оцінка за бездоганне виконання контрольної роботи складає 30 балів.

Накопичувальна частина складається з балів, отриманих при оцінці поточного контролю знань – 5 балів за семестр і балів за виконання і захист лабораторних робіт – 35 балів за семестр.

Лабораторні роботи оцінюються в залежності від якості підготовки та впевненості при захисті. Кожна робота оцінюється з 5 балів. За неповні і нечіткі відповіді, при непевному володінні студентом термінологією і знанням предмета оцінка знижується.

Поточний контроль знань здійснюється у формі усних опитувань (4 бали) і оцінки активності студентів на заняттях (1 бал). Кожен студент протягом семестру відповідає на лекціях на чотири питання, що оцінюються. За правильну відповідь він отримує 1 бал.

Поведінка студента на заняттях вважається активною, якщо він слухає викладача, робить записи, задає питання, не порушує навчальний графік.

 

Умови допуску до підсумкового контролю

До екзамену допускаються здобувачі вищої освіти, які виконали всі види навчальних елементів навчальної дисципліни на не менше, ніж 60%. Екзаменаційні білети включають всі тематичні модулі дисципліни.

Перездача організовується за встановленим деканатом розкладом.

 

Політика освітнього процесу

Здобувач зобов’язаний своєчасно та якісно виконувати всі отримані завдання; за необхідністю, з метою з’ясування всіх не зрозумілих під час самостійної та індивідуальної роботи питань, відвідувати консультації викладача. Дотримуватись принципів академічної доброчесності. 

Відсутність здобувача на контрольній роботі або екзамені відповідає оцінці «0».