Компонентна база радіоелектронної апаратури

Мета вивчення дисципліни: формування комплексу інженерних знань і забезпечення підготовки студентів в області сучасної компонентної бази радіоелектронної апаратури (РЕА), придбання навичок використання знань для вирішування задач, які виникають при проектуванні та експлуатації радіотехнічних пристроїв.

Практичне значення та використання отриманих знань: Вивчення фізичних принципів роботи, характеристик і параметрів напівпровідникових, оптоелектронних приладів та виробів мікроелектроніки. Дисципліна забезпечує базову підготовку спеціалістів, вчить прийомам аналітичних досліджень в області компонентної бази РЕА, вводить поняття моделей дискретних та інтегральних електронних компонентів та дає основи схемотехнічної творчості.
Тематика та види навчальних занять Лекційні заняття
Лекція 1. «Етапи розвитку, призначення та основні характеристики компонентів РЕА». Лекція 2. «Пасивні компоненти електроніки».
Лекція 3. «Електронно-дірковий перехід».
Лекція 4. «Функціональні різновиди діодів, особливості застосування». Лекція 5. «Біполярні транзистори. Основні поняття та визначення».
Лекція 6. «Особливості біполярних транзисторів при різних схемах ввімкнення». Лекція 7. «Параметри транзистора, як активного чотириполюсника».
Лекція 8. «Статичні характеристики біполярних транзисторів». Лекція 9. «Еквівалентні схеми біполярних транзисторів».
Лекція 10. «Польові транзистори. Основні поняття та визначення. ПТ з керуючим p-n переходом».
Лекція 11. «Польові транзистори з ізольованим затвором». Лекція 12. «Силові напівпровідникові прилади. Тиристори». Лекція 13. «Силові транзистори».
Лекція 14. «Аналогові інтегральні мікросхеми». Лекція 15. «Цифрові інтегральні мікросхеми».

Лабораторні роботи
Лабораторна робота №1. «Послідовне, паралельне і змішане з’єднання резисторів».
Мета заняття: Вивчити основні функції програми моделювання Micro-Cap. Провести моделювання послідовного, паралельного та змішаного з’єднання резисторів.

Лабораторна робота №2. «Дослідження конденсатора в колах постійного і змінного струмів».
Мета заняття: Вивчити налаштування режимів моделювання програми Micro-Cap.
Провести моделювання електричного кола із конденсатором. Визначити опір конденсатора при постійному та змінному струмах.

Лабораторна робота №3. «Дослідження котушок індуктивності».
Мета заняття: Закріпити знання про налаштування режимів моделювання програми Micro-Cap. Провести моделювання електричного кола із котушкою індуктивності.
Визначити опір котушки індуктивності при постійному та змінному струмах.

Лабораторна робота №4. «Дослідження напівпровідникових діодів».
Мета заняття: Вивчити принцип дії та характеристики діодів. Експериментально визначити вольт-амперні характеристики діодів.

Лабораторна робота №5. «Визначення параметрів напівпровідникових діодів».
Мета заняття: Вивчити принцип дії та параметри діодів. Обчислити статичні і динамічні опори діодів за їх вольт-амперними характеристиками

Лабораторна робота №6. «Дослідження напівпровідникових стабілітронів».
Мета заняття: Вивчити принцип дії, характеристики та параметри стабілітронів.
Експериментально визначити вольт-амперні характеристики стабілітронів, обчислити їх статичні і динамічні опори.

Лабораторна робота №7. «Вплив температури на параметри напівпровідникових діодів та стабілітронів».
Мета заняття: Закріпити знання про характеристики і параметри діодів та стабілітронів.
Обчислити температурний коефіцієнт напруги при прямому та зворотньому включенні стабілітрона

Лабораторна робота №8. «Дослідження біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільною базою».
Мета заняття: Вивчити принцип дії біполярного транзистора. Придбати навички експериментального дослідження вхідних і вихідних статичних характеристик біполярного транзистора.

Лабораторна робота №9. «Визначення параметрів біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільною базою».
Мета заняття: Вивчити принцип дії біполярного транзистора. Придбати навички визначення його низькочастотних малосигнальних параметрів.

Лабораторна робота №10. «Дослідження біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільним емітером».
Мета заняття: Придбати навички дослідження вхідних і вихідних характеристик біполярного транзистора ввімкненого за схемою зі спільним емітером.

Лабораторна робота №11. «Визначення параметрів біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільним емітером».
Мета заняття: Закріпити навички визначення низькочастотних малосигнальних
параметрів біполярного транзистора ввімкненого за схемою зі спільним емітером. Провести порівняння отриманих результатів з результатами попередніх робіт

Лабораторна робота №12. «Дослідження польового транзистору з керуючим p-n- переходом».
Мета заняття: Вивчити принцип дії польового транзистору з керуючим p-n-переходом.
Придбати навички експериментального дослідження прохідних і вихідних статичних характеристик польового транзистора.

Лабораторна робота №13. «Дослідження польового транзистору з ізольованим затвором».
Мета заняття: Вивчити принцип дії польового транзистору з з ізольованим затвором.
Закріпити навички експериментального дослідження прохідних і вихідних статичних характеристик польового транзистора.

Лабораторна робота №14. «Визначення параметрів польових транзисторів».
Мета заняття: Закріпити знання про принципи дії польових транзисторів. Придбати навички визначення їх параметрів по експериментально знятим статичним
характеристикам.

Лабораторна робота №15. «Дослідження тиристорів».
Мета заняття: Вивчити будову та принцип дії тиристора. Навчитися визначати основні характеристики та параметри тиристорів.

Консультації здійснюються впродовж семестру згідно встановленого розкладу.
Індивідуальна робота Курсова робота
Мета курсової роботи – закріплення знань з основних положень теорії розрахунків параметрів напівпровідникових діодів за їх статичними характеристиками, схем ввімкнення діодів та транзисторів, розрахунків малосигнальних параметрів транзисторних підсилювачів.
Здобувач отримує завдання на першому в семестрі лабораторному занятті. Пояснювальна записка містить 20-25 сторінок Кількість розділів – 3.
Тематика курсової роботи охоплює наступні питання:
- робота із вольт-амперними характеристиками діодів;
- розрахунок статичних і динамічних параметрів діодів;
- розрахунок режиму роботи схеми із діодом;
- робота із основними схемами ввімкнення транзистора;
- робота із статичними характеристиками транзистора;
- розрахунок малосигнальних параметрів транзистора.
Захист курсової роботи – протягом останніх двох навчальних тижнів семестру.

Форми контрольних заходів та оцінювання результатів навчання
Поточний контроль полягає у виконанні
1) 15-ти лабораторних робіт. Протоколи лабораторних робіт оформлюються письмово. Бездоганний захист протоколу кожної лабораторної роботи оцінюється у 4 бали;
2) курсової роботи. Бездоганне виконання оцінюється у 60 балів. Захист роботи – 40 балів;
3) двох модульних контрольних робіт. Модульні контрольні роботи складаються з теоретичної і практичної частин та проводяться у письмовій формі. Бездоганне виконання кожної модульної контрольної роботи становить 20 балів.

Підсумковий контроль – залік. Підсумкова оцінка формується як накопичувальна за результатами оцінювання всіх навчальних елементів, які заплановані на семестр для виконання здобувачами вищої освіти. Оцінку «зараховано» отримують здобувачі вищої освіти, за умови виконання всіх навчальних елементів не менш, ніж на 60 %. Максимальна оцінка, яку може отримати здобувач – 100 балів.