Компонентна база радіоелектронної апаратури

Мета дисципліни: Формування комплексу інженерних знань і забезпечення підготовки студентів в області сучасної компонентної бази радіоелектронної апаратури (РЕА), придбання навичок використання знань для вирішування задач, які виникають при проектуванні та експлуатації радіотехнічних пристроїв.
Задачі дисципліни: вивчення фізичних принципів роботи, характеристик, параметрів електровакуумних, напівпровідникових, оптоелектронних приладів та виробів мікроелектроніки.
Дисципліна забезпечує базову підготовку спеціалістів, вчить прийомам аналітичних досліджень в області компонентної бази РЕА, вводить поняття моделей дискретних та інтегральних електронних компонентів та дає основи схемотехнічної творчості.
 
 
Основні результати навчання
 
Знати теорії та  методи фундаментальних  та  загально інженерних  наук  в об’ємі необхідному  для  розв’язання спеціалізованих задач та  практичних  проблем  у  галузі професійної діяльності.
Уміти використовувати розрахунки та системи графічного моделювання для здійснення схемотехнічного проектування і розроблення аналогових елементів, вузлів, блоків радіотехнічних та телекомунікаційних систем. Знати та уміти проводити підбір активних и пасивних компонентів та визначати їх характеристики;  проводити аналіз і синтез сучасних пристроїв; проводить проектування сучасних систем аналогових електронних пристроїв; проводити створювання сучасних складних систем аналогової обробці сигналів.
Вміти використовувати системи моделювання автоматизації схемотехнічного проектування та для розроблення  елементів,  вузлів,  блоків  радіотехнічних  та телекомунікаційних систем.
Уміти складати схеми вимірювань та проводити експериментальні дослідження для вивчення параметрів напівпровідникових приладів; проводити порівняння експериментальних даних з теоретичними; самостійно застосовувати отримані знання для розв'язання типових задач проектування, дослідження та експлуатації електронних засобів.

Форми організації освітнього процесу та види навчальних занять
 
Л – лекційні заняття; ЛЗ – лабораторні заняття; СРС – самостійна робота здобувача вищої освіти; МКР – модульна контрольна робота; К – консультації.
 
 
Тематика та види навчальних занять
 
1 тиждень
Л 1. Етапи розвитку, призначення та основні характеристики компонентів РЕА
ЛЗ 1. Дослідження напівпровідникових діодів
СРС. К.
 
2 тиждень
Л 2. Пасивні компоненти електроніки
ЛЗ 2. Дослідження напівпровідникових діодів 
СРС. К.
 
3 тиждень
Л 3. Електронно-дірковий перехід
ЛЗ 3. Дослідження напівпровідникових стабілітронів
СРС. К.
 
4 тиждень
Л 4. Функціональні різновиди діодів, особливості застосування
ЛЗ 4. Дослідження напівпровідникових стабілітронів
СРС. К.
 
5 тиждень
Л 5. Біполярні транзистори. Основні поняття та визначення
ЛЗ 5. Дослідження біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільною базою
СРС. К.
 
6 тиждень
Л 6. Особливості біполярних транзисторів при різних схемах ввімкнення
ЛЗ 6. Дослідження біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільною базою
СРС. К.
 
7 тиждень
Л 7. Параметри транзистора, як активного чотириполюсника
ЛЗ 7. Дослідження біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільною базою
СРС. К.
 
8 тиждень
Л 8. Статичні характеристики біполярних транзисторів
ЛЗ 8. Дослідження біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільним емітером
МКР1. СРС. К.
 
9 тиждень
Л 9. Еквівалентні схеми біполярних транзисторів
ЛЗ 9. Дослідження біполярного транзистору з ввімкненням за схемою зі спільним емітером
СРС. К.
 
10 тиждень
Л 10. Польові транзистори. Основні поняття та визначення. ПТ з керуючим p-n переходом
ЛЗ 10. Дослідження польового транзистору з керуючим p-n переходом
СРС. К.
 
11 тиждень
Л 11. Характеристики польових транзисторів з керуючим p-n переходом
ЛЗ 11. Дослідження польового транзистору з керуючим p-n переходом
СРС. К.
 
12 тиждень
Л 12. Польові транзистори з ізольованим затвором 
ЛЗ 12. Дослідження польового транзистору з ізольованим затвором
СРС. К.
 
13 тиждень
Л 13. Тиристори
ЛЗ 13. Дослідження польового транзистору з ізольованим затвором
СРС. К.
 
14 тиждень
Л 14. Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) та польові транзистори зі статичною індукцією (SIT)
ЛЗ 14. Дослідження тиристорів
СРС. К.
 
15 тиждень
Л 15. Перспективи розвитку мікроелектроніки
ЛЗ 15. Дослідження тиристорів
МКР2. СРС. К.
 
 
Індивідуальна робота – курсова робота (КР).
 
Мета КР: Закріплення знань, що були отримані під час лекційних та лабораторних занять із побудови, характеристик та принципів роботи напівпровідникових діодів та транзисторів.
Завдання КР:
- розрахунок робочого режиму напівпровідникового діода;
- визначення статичних характеристик транзистора;
- визначення динамічних характеристик транзистора;
1-5 тижні
Отримання завдання. Розрахунок робочого режиму напівпровідникового діода
6-10 тижні
Визначення фізичних та статичних параметрів біполярного  транзистора 
11-14 тижні
Динамічний режим роботи біполярного транзистора
15 тиждень
Захист курсової роботи
 
 
Самостійна робота
 
Самостійна робота складає 120 годин. Розподіл самостійної роботи за видами навчальних робіт:
1) самостійне опрацювання теоретичного матеріалу – 30 годин;
2) підготовка до лабораторних занять – 30 годин;
3) виконання курсової роботи – 30 годин;
4) підготовка до екзамену – 30 годин;
 
 
Процедура оцінювання
 
Система оцінювання рівня навчальних досягнень ґрунтується на принципах ЄКТС та є накопичувальною. Здобувачі протягом семестру готуються до лекційних та лабораторних занять, виконують дві модульні контрольні роботи. Для забезпечення оперативного контролю за успішністю та якістю рівня навчальних досягнень здобувачів вищої освіти дисципліна поділяється на два семестрові модулі. 
Модульні контрольні роботи №1, №2 виконуються у формі письмової роботи з використанням контрольних запитань.  Максимальна оцінка за її бездоганне виконання становить 21 бал. Кількість контрольних запитань – 3, кожна правильна відповідь оцінюється у 7 балів. 
Кожний модуль оцінюється у максимально можливі 50 балів.
Семестровий модуль № 1
Лабораторні заняття ЛЗ 1 – ЛЗ 8. Оцінка за виконання – 24 бали (по 3 бали за кожне заняття). 
Поточні контрольні опитування протягом лекційних занять – 5 балів.
МКР1. Модульна контрольна робота – 21 бал (8 тиждень). Перескладання можливе протягом 9–11 тижнів за розкладом консультацій.
Семестровий модуль № 2
Лабораторні заняття ЛЗ 9 – ЛЗ 15. Оцінка за виконання – 24 бали (по 3,4 бали за кожне заняття). 
Поточні контрольні опитування протягом лекційних занять – 5 балів.
МКР2. Модульна контрольна робота – 21 бал (15 тиждень). 
Максимальна оцінка за повний обсяг виконаних навчальних елементів дисципліни – 100 балів.
Курсова робота
Складається з трьох розділів. 
Максимальні оцінки за виконання та захист розділів КР такі:
1-й розділ – 30 балів
2-й розділ – 35 балів
3-й розділ – 35 балів
Максимальна оцінка за всю курсову роботу становить 100 балів
Підсумковим контролем з дисципліни є усний екзамен, білет до якого складається з теоретичної частини (3 запитання) та практичної частини (1 задача). Максимальна оцінка за правильні відповіді на всі питання екзаменаційного білету становить 100 балів. 
 
 
Умови допуску до підсумкового контролю
 
До екзамену допускаються здобувачі вищої освіти, які виконали всі види навчальних елементів дисципліни за перший модуль та всі види навчальних елементів накопичувальної частини дисципліни за другий модуль не менш ніж на 45 балів.
 Політика освітнього процесу
 
Здобувач зобов’язаний своєчасно та якісно виконувати всі отримані завдання; за необхідністю з метою з’ясування всіх не зрозумілих під час самостійної та індивідуальної роботи питань, відвідувати консультації викладача. Дотримуватись принципів академічної доброчесності.
 
Виконання не свого варіанту завдання здобувачу не зараховується.
 
Робота, яка виконана після встановлених викладачем термінів, не приймається.
 
Відсутність здобувача на екзамені або на контрольній роботі відповідає оцінці «0».
 
Складання/перескладання екзаменів – за встановленим деканатом розкладом.
 
Під час лекції здійснювати телефонні дзвінки забороняється.

Заборонено використання будь-яких підручників, посібників, конспектів лекцій, шпаргалок під час проходження модульних контролів та складання екзамену з дисципліни.